revêtement conducteur utilisé superfine haute nanopoudres d'étain actif

99,9% de poudre de nano-étain noire utilisée pour les additifs de frittage activés.

& nbsp; étain sn nanoparticule est une poudre sphérique noire et avec une grande pureté, principalement utiliser dans l'additif de lubrification.

poudre de nano-étain, 70nm, 100nm, 130nm, largement utilisé dans la pâte métallique ou la poudre d'alliage métallique.

Chine offre directe d'usine de nanoparticules d'étain de poudre de nano Sn de qualité, 99,9% de haute pureté, 70nm / 100nm / 130nm. Nano Sn peut être appliqué pour les additifs de lubrifiant.

Les particules de Hongwu Nano Tin Sn ont une capacité théorique élevée (par exemple, 994mah/g), et le matériau d'anode à base d'étain est considéré comme l'un des substituts idéaux aux matériaux commerciaux en carbone de type graphite (372mah/g) pour répondre aux conditions suivantes une génération de batteries lithium-ion haute capacité a besoin.

hongwu nanomètre fournir de haute qualité nano graphène et de l'oxyde de graphène au prix le plus bas.

nano poudres d'oxyde cuivreux dans superfine 20-30nm, 99% de pureté, largement utilisé en catalyse.

nanopoudres de fer est très actif, faire de l'oxygène passivé sur la surface, bonne forme sphérique.

bon prix pour acheter la poudre fonctionnalisée de nanotube de carbone à vendre pour le fournisseur de porcelaine.

poudres d'oxyde de zirconium 99,9%, 60-80 nm comme & nbsp; matériaux isolants.

avec le temps ultrasonique et la concentration de tensioactif augmente, la poudre dispersion après d'abord augmente puis diminue.

Le carbure de silicium présente les caractéristiques de la résistance à la corrosion, de la résistance à haute température, de la résistance élevée, de la bonne conductivité thermique et du choc Résistance. Dans le même temps, il présente les avantages d'une conductivité thermique élevée, d'une résistance à l'oxydation et d'une bonne stabilité thermique. Il est souvent utilisé dans les matériaux d'emballage dans la microélectronique Industrie.