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Nanofils de carbure de silicium utilisés dans les fils Nano SiC à émission de champ

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  • article no.:

    D500C
détails du produit

Nanofil en carbure de silicium utilisé dans les fils Nano SiC à émission de champ


Spécification :

Nom : nanofil de carbure de silicium (SiC-NWs)

Diamètre : 100-500 nm

Longueur : 20-100um

Pureté : 99 %

Matériaux associés : nano/submicronique/micronique poudres SiC, moustaches SiC


Avantages et applications :

Les nanofils de SiC ont d'excellentes propriétés de conductivité mécanique, électrochimique et thermique, ce qui les rend applicables dans de nombreux domaines, tels que l'émission de champ, les matériaux de renforcement et de trempe, les supercondensateurs, la catalyse des dispositifs d'absorption d'ondes électromagnétiques et d'autres domaines.

Émission en champ :
Comme les nanofils de carbure de silicium ont une excellente conductivité thermique, leur largeur de bande interdite est supérieure à 2,3 eV et leurs performances d'émission de champ sont excellentes, ils peuvent être utilisés dans les puces de circuits intégrés, les dispositifs microélectroniques sous vide, etc. .

Les informations ci-dessus sont uniquement à titre de référence. Pour plus de détails, ils sont soumis à des applications et à des tests réels.


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