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70nm ferronickel fe-ni nano poudres d'alliage de haute qualité et s'appliquent à lamatériaux magnétiques.

ferronickel fe-ni nano alliage est un champ magnétique faible avec une perméabilité élevée et une faible force coercitive dans les matériaux magnétiques doux de basse fréquence

Biseauté de carbure de silicium bêta gris vert largement utilisé comme agent de renforcement et de renforcement des composites.

les fullerènes étaientdécouvert de nombreux réactifs organiques ont une activité chimique élevée, qui ont machineréaction chimique pour introduire la chimie des polymères peut être utilisé pour la synthèse defullerènes et polymères dérivés du design.

Le nano-oxyde de zinc est un produit inorganique fin haut de gamme qui présente de nombreuses propriétés spéciales telles que l'absence de migration, la fluorescence, la piézoélectricité et la dispersion uv. Grâce à ses propriétés remarquables en lumière, électricité, magnétisme et sensibilité, il peut fabriquer des capteurs de gaz, des phosphores, des varistances, des matériaux de protection contre les ultraviolets, des matériaux d'enregistrement d'images, des matériaux piézoélectriques, des varistances, des catalyseurs à haute efficacité, des matériaux magnétiques et des films plastiques. . Il a été prouvé par la pratique que le nano-oxyde de zinc est largement utilisé dans divers domaines tels que le caoutchouc avec ses excellentes propriétés.

Nano Ito poudre d'indium est un nouveau type de matériau inorganique hautement fonctionnelavec une taille de 1-100nm qui est orientée vers le 21ème siècle. en raison deminiaturisation des grains de cristal, sa structure électronique de surface et son cristalchangement de structure, résultant en un effet de surface, effet de volume, taille quantiqueeffet et l'effet macro-tunnel et haute transparence, haute dispersion etainsi de suite qu'un objet macroscopique n'a pas. dans les aspects de photoélectriquesensibilité, nano ito a les propriétés spéciales et les nouvelles utilisations que l'ordinaireoxyde d'indium-étain ne peut pas correspondre, comme utilisé comme matériaux furtifs, solairematériaux collecteurs et collecteurs ect. poudre d'oxyde d'indium nano ito indium est unexcellent matériau semi-conducteur avec des propriétés exceptionnelles, ce qui estlargement utilisé dans la coquille conductrice, capteur de gaz, photodétecteur, cristal liquideafficher et ainsi de suite. ces dernières années, la technologie de préparation de poudre nanocontinue de se développer et d'améliorer, mais la nanopoudre a une surface active élevée,la surface accroché beaucoup de radicaux libres, donc en ajoutant une autre matricematériaux en poudre nano, il est facile de conduire à la formation de grandsparticules d'agglomération de nanoparticules, qui ont un impact significatif surla performance des propriétés des aspects optiques, électriques, magnétiques et autres.par conséquent, il est très important de bien disperser les poudres avant de les utiliser,ce qui peut aider les particules ito à atteindre les meilleures propriétés. pris la poudre d'ito comme matière première,à travers un certain processus pour préparer des poudres ito dans un ito rods, également connu sous le nomcible ito (cible céramique ito). avec la cible ito, il peut être plus loinfabriquer le verre de film conducteur transparent de tio. le composant principal de itole film est de l'oxyde d'indium et d'étain. dans le cas d'une épaisseur de seulement quelques milliersangströms, l'oxyde d'indium est à haute transmittance et l'oxyde d'étain a conductriceaptitude. affichage à cristaux liquides utilisé dans le verre ito est une transmittance élevée deverre conducteur. par jemma

poudre de zro2 de dioxyde de zirconium de nano, largement utilisé comme poudre de detal et poudre en céramique, taille pourrait fournir avec la taille nanométrique et la taille de micron.

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fournir de la poudre de nitrure de silicium de qualité céramique, du nitrure de silicium de qualité cellule solaire en phase de pureté élevée, alpha ou bêta.

nanopoudre b4c a haute conductivité thermique, largement utilisé dans les composants semi-conducteurs.