poudre magnétique permanente d'alliage de cobalt de fe-cr-co de fer

nano poudre de carbure de tungstène cobalt, particule taille est de 60 nm, la pureté de 99,9%, la proportion de cobalt peut être faite 6, 10, ou 12. La taille de micron peut également être adaptée aux besoins du client. il est largement utilisé dans le carbure cémenté.

spécification de la poudre de fullerène: <br /> & nbsp; <br /> 1. synonyme: footballene, buckminsterfullerene <br /> 2. taille: diamètre: 0.7nm; longueur: 1.1nm <br /> 3. pureté: 99,9% <br /> 4. densité réelle: 1.70g / cm3 <br /> 5. résistivité électrique: 102,6μΩ · m <br /> 6. apparence: poudre noire <br /> & nbsp; <br /> application: <br /> Contrairement aux cellules solaires inorganiques, qui sont largement utilisées aujourd'hui, les matériaux organiques peuvent être transformés en matériaux à base de carbone flexibles peu coûteux, tels que les plastiques. Les fabricants peuvent produire en série des bobines de différentes couleurs et configurations et les laminer de façon transparente sur presque toutes les surfaces. sur. Cependant, la mauvaise conductivité des matériaux organiques a entravé le progrès de la recherche connexe. Au fil des années, une mauvaise conductivité de la matière organique a été considérée comme inévitable, mais ce n'est pas toujours le cas. Des études récentes ont montré que les électrons peuvent se déplacer de quelques centimètres dans une fine couche de fullerène, ce qui est incroyable. Dans les batteries organiques actuelles, les électrons ne peuvent parcourir que des centaines de nanomètres ou moins. <br /> les électrons se déplacent d'un atome à l'autre, formant un courant dans une cellule solaire ou un composant électronique. dans les cellules solaires inorganiques et d'autres semi-conducteurs, le silicium est largement utilisé. son réseau atomique fortement lié permet aux électrons de passer facilement. cependant, les matériaux organiques ont beaucoup de liaisons lâches entre les molécules individuelles qui piègent les électrons. & nbsp; <br /> Cependant, les dernières découvertes montrent qu'il est possible d'ajuster la conductivité des matériaux fullerène en fonction de l'application spécifique. la libre circulation des électrons dans les semiconducteurs organiques a de profondes implications. par exemple, actuellement, la surface d'une cellule solaire organique doit être recouverte d'une électrode conductrice pour collecter les électrons à partir desquels les électrons sont générés, mais les électrons libres permettent aux électrons d'être collectés à une position éloignée de l'électrode. d'autre part, les fabricants peuvent également rétrécir les électrodes conductrices dans des réseaux pratiquement invisibles, ouvrant la voie à l'utilisation de cellules transparentes sur les fenêtres et autres surfaces. <br />

dwcnts, diamètre de 2-5nm, longueur de 1-2um ou 5-20um, largement utilisé dans les films semi-conducteurs.

Hongwu Sphéroïdes à la marque Poudre de nickel (

Hongwu Nano fournit du baryum titanate (BaTiO3) nanopoudres avec cubique, phase tétragonale, 50 nm, 100 nm, 300-400 nm avec 99,9 %. Nano BaTiO3 la poudre est principalement utilisée pour les matériaux électroniques en céramique.

poudre de nano-étain, 70nm, 100nm, 130nm, largement utilisé dans la pâte métallique ou la poudre d'alliage métallique.

la poudre de nano cobalt est magnétique, sphérique, largement utilisée dans les matériaux de revêtement de carbures cémentés.

& nbsp; nanopoudre d'oxyde de zinc (zno) & nbsp; 20-30nm, 99,8% pourrait utiliser comme l'application de la céramique ainsi de suite.

poudres cubiques de carbure de silicium de grande pureté pour la pâte de meulage du fournisseur de porcelaine.

notre poudre de nano zincum pourrait fournir dans 40nm, 70nm, 100nm, 130nm avec la pureté de 99,9%, bienvenue à l'enquête.

poudre de diamant nano polycristallin est superfine, de haute pureté, largement utilisé dans les matériaux lubrifiants.

pour la poudre amorphe de bore, nous pourrions fournir la taille nanométrique et la taille de micron, pureté de 99%, largement utilisée dans le semi-conducteur.