nanotubes de carbone multi-parois graphitisés dopés à l'azote utilisés dans les matériaux d'électrode

Les nanotubes de carbone à parois multiples et dopés à l'azote peuvent activer la surface de cnts, utilisée comme support pour les catalyseurs à base de métaux nobles.

Les nanotubes de carbone dopés à l'azote ont une bonne conductivité électronique, largement utilisée dans les catalyseurs.

Les nanotubes de carbone à parois multiples à graphitisation dopée à l'azote sont fabriqués pour une meilleure application pratique, pour une bonne dispersibilité dans l'eau et une bonne conductivité.

la poudre de carbure de tungstène est une matière première importante pour la production de carbure cémenté , et la poudre de carbure de nano-tungstène peut donner au carbure cémenté de nombreuses autres propriétés excellentes .

nanodiamants en tant que porteur biologique, fait certains médicaments d'anticorps, et a obtenu de bons résultats.

Nano La poudre d'oxyde de tungstène de césium peut bloquer efficacement infrarouge et ultraviolet lumière.

des expériences ont montré que le mélange de particules ruo2 de petite taille et de plus grande taille permet d'augmenter la conduction thermique en augmentant le taux de remplissage. Oui, nous pouvons produire des nanoparticules d'oxyde de ruthénium d'une taille comprise entre 20 nm et 10 µm sur mesure, d'une grande pureté 99,99%

poudre de titanate de baryum, 100 nm, 99,9%, largement utilisée dans les céramiques électroniques.

Les particules de Hongwu Nano Tin Sn ont une capacité théorique élevée (par exemple, 994mah/g), et le matériau d'anode à base d'étain est considéré comme l'un des substituts idéaux aux matériaux commerciaux en carbone de type graphite (372mah/g) pour répondre aux conditions suivantes une génération de batteries lithium-ion haute capacité a besoin.

nanopoudres de germanium de haute pureté peuvent être utilisés & nbsp; pour une variété de transistors, redresseurs et autres dispositifs.

poudres de graphène monocouche comme le plus léger et le plus mince matériau dans le monde qui remplacera un matériau idéal pour la fabrication de transistors de silicium dans le domaine hyperfin de la microélectronique dans le avenir.

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