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La température de transition de phase métal-semiconducteur du dioxyde de vanadium peut être réduite à la température ambiante ou inférieure par dopage au tungstène.
Le revêtement de mélange de nanoparticules de dioxyde de vanadium dopé au tungstène peut présenter des propriétés thermochromiques à température ambiante. Sa valeur d'application potentielle comprend le film de gradation des bâtiments, les matériaux de thermistance, les matériaux de commutation photoélectriques, les éléments d'imagerie infrarouge.
origine du produit:
Chinaarticle no.:
WP501port d\'expédition:
Guangzhou, ShanghaiCouleur:
blackdélai de mise en œuvre:
in stockLa température de transition de phase métal-semiconducteur du dioxyde de vanadium peut être réduite à la température ambiante ou inférieure par dopage au tungstène.
Produit: Nanoparticules de dioxyde de vanadium dopées au tungstène
Formule : W-VO2
Dopé : 1%W, 1.5W%, 2%W, personnalisé
Taille des particules : 100-200 nm
Pureté: ≥99%
Couleur : Noir grisâtre
La méthode de dopage est la principale méthode pour réduire la température de transition de phase VO2.
B y pulvérisation magnétron, des couches minces de VO2 de résistance variant de deux ordres de grandeur ont été obtenues sur des plaques de silicium. Les propriétés électriques des films ont été testées. Les résultats montrent que la température de transition de phase du film de dioxyde de vanadium dopé au tungstène est inférieure à celle du film de dioxyde de vanadium pur, et la transmittance dans le proche infrarouge du film de dioxyde de vanadium dopé au tungstène est également réduite.
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Nano-dioxyde de vanadium dopé au tungstène avec une température de transition de phase de 30 degrés W dopé VO2prochain :
Le détecteur de rayonnement infrarouge a utilisé le nano VO2 de matériel de changement de phase de nanopoudre de dioxyde de vanadiumenvoyez-nous un courriel pour toute question ou demande de renseignements ou utilisez nos coordonnées. Nous serions heureux de répondre à vos questions.
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