Nano Platinum pour la détermination de la teneur en hydrogène

20nm 99,99% pt nanoparticules dispersion de l'eau

particules nano pt (platine) dispersion de l'eau, concentration 1000ppm (0.1%) nano pt est largement utilisé comme catalyseur, ce qui rend la dispersion facile et pratique pour une utilisation par le client.

nous pourrions faire des fils d'argent nano à plus petit diamètre & lt; 60 nm, avec une conductivité électrique élevée.

les nanoparticules d'oxyde de fer sont alpha, non magnétiques, largement utilisées dans les revêtements de blindage électrostatique.

poudre d'aluminium pour béton cellulaire avec une bonne qualité d'alimentation en 100 nm, 200 nm avec une pureté de 99,9%.

hongwu nano fournit des nanopoudres d’oxyde de ruthénium (iv) et de ruthénium, 20 nm-1um, 99,99%. également d'autres nanopoudres de métaux précieux, la nanodispersion peut aussi être personnalisée.

poudre de ruthénium de chine / poudre de ruthénium (ru) ont 20-30nm avec la pureté de 99.5% avec la qualité comme catalyseur.

Nom: Silicon Carbure Nanowire Diamètre: CAS #: 409-21-2 Livraison Temps: dans stock, shippment Après avoir reçu le paiement

fullerene c60 nanoparticules ont la pureté de 99,9% s'appliquent à de nombreux documents tels que le matériel de mémoire et le domaine médical, etc.

nanofils d'oxyde de zinc / zno nws, comme matériau idéal pour la préparation de dispositifs de type contact de type schottky hongwu nanomètre est fabricant professionnel, fournisseur et exportateur en Chine pour les matériaux nano en Chine. notre spécification de nanofils d'oxyde de zinc zno comme suit: 1. d: 20-80 nm, l: 2 um, 99,9% 2. d: u003c50 nm, 1: 1-2 um, 99,9% 3. d: u003c120 nm, 1: 1-3 um, 99,9% comme la détection d'acide nucléique est de plus en plus largement appliquée à la technologie de génotypage, au diagnostic clinique et à la recherche biomédicale et autres domaines, la détection optique traditionnelle et la technologie Pcr en temps réel présentent des inconvénients tels que le coût élevé. Les appareils nécessitent des tests à haut rendement, haute vitesse et haute sensibilité. en revanche, le matériau unidimensionnel représenté par le dispositif de détection non marqué, en raison d'une surface spécifique élevée, peut offrir la possibilité de tests d'adn à faible coût, simples et efficaces. fet basé sur des nanofils semi-conducteurs est un tel grand potentiel. dans lequel, la modification de l 'interface métal - semiconducteur de la hauteur de barrière schottky (sbh) peut moduler la performance du dispositif, qui est un point chaud pour les chercheurs. nanofils d'oxyde de zinc / zno nws avec d'excellentes performances semi-conductrices et piézoélectriques, est un matériau idéal pour la préparation d'un dispositif de type contact schottky. Les chercheurs du centre national pour les nanosciences et d'autres institutions ont utilisé des contraintes externes sur les nanofils d'oxyde de zinc pour produire un potentiel piézoélectrique. puis sur la base de l'effet piézoélectrique, le potentiel peut être augmenté ou diminué l'effet de l'interface de liaison sbh le transport de support, de sorte que modifier les propriétés des dispositifs à base de nanofils. en outre, en réalisant une hybridation spécifique entre la sonde complémentaire cdna cible et l'ADN monocaténaire adsorbé par nanofils (le ssdna), le dispositif peut atteindre une fonction de détection sélective. les résultats expérimentaux de ce travail ont montré que, lorsque la contrainte de compression appliquée au capteur d'adn à base de nanofils à base d'oxyde de zinc devenait -0,59%, la valeur relative de la réponse en courant augmentait de 454%. ceci illustre parfaitement que la méthode modifiée utilisant un effet électronique de dispositif piézoélectrique peut améliorer de manière significative les performances de détection du capteur d'ADN du type à contact nanométrique zno de type à contact schottky. par corrine

2-40um réglable bronze rouge poudres conductrices cuivre flocon cu est fourni à prix compétitif.

nanopoudre b4c a haute conductivité thermique, largement utilisé dans les composants semi-conducteurs.