fines poudres de zirconium zirconium diboride application et prix

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nano zirconium diboride (zrb2) pour les matériaux réfractaires 1. nom de produit: poudre de diborure de zirconium de nano 2. formule: zrb2 3. taille de particule: 100-200nm, 300-500nm, 1-3um, 3-5um. 4. pureté: 99% + 5. phase de cristal: cubique 6. apparence: poudre solide noire pour nano, et gris pour micron 7. stock #: e578 Le borure de zirconium est un matériau principal et commun dans le borure. dans le système bore - zirconium, il existe trois types de borure de zirconium: zrb, zrb2, zrb12 et zrb2 est stable dans une large gamme de température, la production industrielle de borure de zirconium et l'application est principalement zrb2. le diborure de nano zirconium a le point de fusion élevé, la dureté élevée, les caractères élevés de conductivité thermique, i s une sorte d'excellents matériaux structuraux à haute température avec de larges perspectives d'application. à cause d'excellent propriétés de diborure de nano zirconium , il a été employé couramment pour toutes sortes de matériaux et de matériaux fonctionnels à hautes températures, tels que le bâti continu de mesure de la température, la buse submergée en acier fondue et les aubes de turbine dans l'industrie aéronautique, le générateur de mhd, bientôt. Voici quelques applications typiques pour les matériaux réfractaires. 1. matériau réfractaire de base de zrb2-c 2. matériau réfractaire de base de mgo-c 3. matériau réfractaire de base al2o3-c 4. matériau réfractaire de base de zrb2-bn

poudre de diborure de zirconium, pourrait fournir à 100m, 1-3um ou autre taille, largement utilisé comme matériaux céramiques.

Nanopoudre de diborure de zirconium principalement utilisé pour la production de matériaux céramiques composites.

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Les poudres submicroniques se caractérisent par leur haute conductivité thermique, leur résistance à haute température, leur faible dilatation thermique, leur résistance à la réaction chimique et leur capacité à fonctionner en tant que semi-conducteur.

Notre β-SiC nano 4N (pureté de 99,99 %) est synthétisé avec précision par CVD, offrant une granulométrie ultrafine et une excellente aptitude au frittage pour les composants céramiques haute densité. Il excelle dans les environnements semi-conducteurs les plus exigeants, des plateaux de polissage chimico-mécanique et des platines de lithographie aux anneaux de focalisation de gravure plasma et aux revêtements de chambres. Son inertie chimique et le faible dégazage d'impuretés métalliques optimisent le rendement des puces là où cela compte le plus. Il est utilisé par les plus grands fabricants de semi-conducteurs et d'équipements au monde.

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hongwu nano fournit des nanopoudres de haute pureté 4n al2o3 en phase alpha et gamma; des formes en poudre et en dispersion sont disponibles. & nbsp;