graphène Le graphène à quelques couches s'est montré très cristallin et semi-métallique dans ses propriétés électroniques. On a trouvé que le plat atomique était ambipolaire avec une minuscule couche de recouvrement et des bandes de conduction. feuille de graphène-dimensionnelle est réduite à une feuille de graphène unidimensionnelle est réduite à un graphène baboribbon unidimensionnel (gnr), comme la largeur du graphène diminue à la fois le confinement quantique et les effets de bord se prononcent.Contrairement aux earlierstudies, qui ont indiqué que les propriétés électroniques de gnrs étaient des lacunes d'énergie dans tous les gnrs.les calculs ont été effectués avec 12-14 système de cycle aromatique fusionné et les largeurs des gnrs étaient ~ 3nm.
la mobilité très élevée, les porteurs d'électrons ou de trous contrôlés par tension de grille, et la bande interdite accordable suggèrent que gnps peut être idéal pour les électrons nanométriques et ont suscité un immense intérêt dans la synthèse à grande échelle de gnrs.gnrs avec des écarts d'énergie bénéfiques pour les nanodispositifs comparé aux swnts où un tiers des nanotubes sont censés être métalliques, cette nature semi-conductrice intrinsèque de gnrs peut considérablement simplifier la favorisation des nanodispositifs semi-conducteurs haute performance. La synthèse à une échelle relativement grande a été réalisée récemment, en utilisant une procédure similaire le processus commence par exfoliation graphite expansible faite en intercalant ~ flocons de graphite à l'échelle 350um avec de l'acide sulfurique et l'acide nitrure à 1000 ℃ dans le gaz de formation pendant 1min, sonique le matériau exfolié résultant dans un 1,2-dichloroéthane solution de polyto disperser les gnrs, et la centrifugation de la suspension et des rubans et des feuilles de graphène peu-couche.
la mesure des transpots indiquait que tous les gnrs sous-10nm étaient des semi-conducteurs, très récemment, deux articles rapportaient une ouverture longitudinale longitudinale des cnts, produisant des gnr étroites et uniformes. le premier était suspendu en acide silfrique concentré suivi d'une oxydation classique du permanganate de potassium. une seconde étape de réduction chimique est nécessaire pour rétablir la conductivité électrique. la seconde a également commencé avec des nanoparticules, mais s'est étalée sur une tranche de silicium et revêtue de polyéthylène. Le pmma incorporé à mwnt a été décollé et exposé à un plasma qui a été gravé. Une partie de la couche de mwnts.gnrs avec une largeur inférieure à 10 nm a été préparée et suggère que des nanodispositifs semi-conducteurs bien alignés à grande échelle pour des applications pratiques peuvent être possibles.
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